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SSM3J351R,LF Canal P Montaje en superficie 60V 3.5 A (Ta) 2W (Ta) SOT-23F
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Escala de precios Precio unitario Precio total
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10 0.32900 $3.29
25 0.30120 $7.53
100 0.18900 $18.90
500 0.17500 $87.50
1,000 0.11900 $119.00

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  • Cinta y rollo (TR)  : SSM3J351RLFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 597 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.11410
  • Digi-Reel®  : SSM3J351RLFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,157 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SSM3J351R,LF

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SSM3J351R,LF
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Descripción MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 3.5 A (Ta) 2W (Ta) SOT-23F

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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVI
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 134mOhm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15.1nC @ 10V
Vgs (máx.) +10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 660pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-3 conductores planos
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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