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SSM3J338R,LF Canal P Montaje en superficie 12V 6 A (Ta) 1 W (Ta) SOT-23F
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM3J338RLFTR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM3J338R,LF

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Descripción MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 12V 6 A (Ta) 1 W (Ta) SOT-23F

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3J338R
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVII
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 8V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 17.6 mOhm a 6A, 8V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-3 conductores planos
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres SSM3J338R,LF(B
SSM3J338R,LF(T
SSM3J338RLFTR

00:29:37 3/24/2019