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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM3J338RLFTR-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SSM3J338R,LF

Descripción MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 12V 6 A (Ta) 1 W (Ta) SOT-23F

Documentos y medios
Hojas de datos SSM3J338R
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVII
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 8 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 17.6 mOhm a 6 A, 8 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-3 conductores planos
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres SSM3J338R,LF(B
SSM3J338R,LF(T
SSM3J338RLFTR

05:52:09 6/21/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
3,000 0.11385 $341.55

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