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SSM3J338R,LF Canal P Montaje en superficie 12V 6 A (Ta) 1W (Ta) SOT-23F
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10 0.28200 $2.82
25 0.25800 $6.45
100 0.16200 $16.20
500 0.15000 $75.00
1,000 0.10200 $102.00

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SSM3J338R,LF

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Descripción MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 12V 6 A (Ta) 1W (Ta) SOT-23F

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Producto destacado Server Solutions
Discrete Solid State Drive (SSD) Solution
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Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVII
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 8V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 17.6mOhm a 6A, 8V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-3 conductores planos
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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