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SSM3J332R,LF Canal P Montaje en superficie 30V 6 A (Ta) 1W (Ta) SOT-23F
Precio y compra
47,435 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.43000 $0.43
10 0.32000 $3.20
25 0.28000 $7.00
100 0.15200 $15.20
250 0.15120 $37.80
500 0.12400 $62.00
1,000 0.09200 $92.00

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SSM3J332RLFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 45,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.08080
  • Digi-Reel®  : SSM3J332RLFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 47,435 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SSM3J332R,LF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SSM3J332RLFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SSM3J332R,LF
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Descripción MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 6 A (Ta) 1W (Ta) SOT-23F

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Documentos y medios
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Producto destacado Server Solutions
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVI
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 42mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 1.2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 560pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-3 conductores planos
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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