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SSM3J15FV,L3F Canal P Montaje en superficie 30V 100 mA (Ta) 150 mW (Ta) VESM
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10 0.21900 $2.19
100 0.12260 $12.26
500 0.06566 $32.83
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM3J15FVL3FCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM3J15FV,L3F

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Descripción MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 100 mA (Ta) 150 mW (Ta) VESM

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3J15FV
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie π-MOSVI
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 12 Ohm a 10mA, 4V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.7V a 100µA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9.1pF @ 3V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor VESM
Paquete / Caja (carcasa) SOT-723
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM3J15FVL3FCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM3J15FVL3FTR-ND
  • Cantidad mínima: 8,000
  • Cantidad disponible: 16,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.03400
  • Digi-Reel® ? : SSM3J15FVL3FDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 22,401 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

17:51:42 3/23/2019