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RN1423TE85LF Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RN1423TE85LF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

RN1423TE85LF

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Descripción TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
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Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini

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Documentos y medios
Hojas de datos RN142x
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie -
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor NPN - Prepolarizado
Corriente de colector (Ic) máx. 800mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 50V
Resistencia - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistencia - Emisor a base (R2) 4.7 kOhms
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 70 a 100 mA, 1 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 250 mV a 1 mA, 50 mA
Corriente de corte del colector (máx.) 500 nA
Frecuencia - Transición 300MHz
Potencia máxima 200mW
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor S-Mini
Número de pieza base RN142*
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres RN1423(TE85L,F)

08:10:24 2/16/2019