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RN1103MFV,L3F Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
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25 0.16240 $4.06
100 0.11680 $11.68
250 0.06880 $17.20
500 0.05710 $28.55
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RN1103MFVL3FCT-ND
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Cantidad disponible 1,736
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

RN1103MFV,L3F

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Descripción TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
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Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM

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Documentos y medios
Hojas de datos RN1101-6MFB
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo de transistor NPN - Prepolarizado
Corriente de colector (Ic) máx. 100mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 50V
Resistencia - Base (R1) 22 kOhms
Resistencia - Emisor a base (R2) 22 kOhms
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 70 a 10 mA, 5 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 300 mV a 500 µA, 5 mA
Corriente de corte del colector (máx.) 500 nA
Potencia máxima 150mW
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) SOT-723
Paquete del dispositivo del proveedor VESM
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres RN1103MFVL3FCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : RN1103MFVL3FTR-ND
  • Cantidad mínima: 8,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 8,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.02898

08:43:36 10/20/2018