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RN1102MFV,L3F Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Prepolarizado 50V 100mA 150mW Montaje en superficie VESM
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.27000 $0.27
10 0.24300 $2.43
25 0.17520 $4.38
100 0.13630 $13.63
250 0.08564 $21.41
500 0.07300 $36.50
1,000 0.04964 $49.64
2,500 0.04478 $111.94

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RN1102MFVL3FCT-ND
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Cantidad disponible 11,964
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

RN1102MFV,L3F

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Descripción TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Prepolarizado 50V 100mA 150mW Montaje en superficie VESM

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Documentos y medios
Hojas de datos RN1101-6MFB
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor NPN - Prepolarizado
Corriente de colector (Ic) máx. 100mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 50V
Resistencia - Base (R1) 10 kOhms
Resistencia - Emisor a base (R2) 10 kOhms
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 50 a 10mA, 5V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 300mV a 500µA, 5mA
Corriente de corte del colector (máx.) 500 nA
Potencia máxima 150mW
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) SOT-723
Paquete del dispositivo del proveedor VESM
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
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RN1102MFV(TL3T)CT-ND
RN1102MFVL3F(BCT
RN1102MFVL3F(BCT-ND
RN1102MFVL3FCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : RN1102MFVL3FTR-ND
  • Cantidad mínima: 8,000
  • Cantidad disponible: 8,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.03780
  • Digi-Reel® ? : RN1102MFVL3FDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11,964 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

10:37:15 3/20/2019