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2SJ305TE85LF Canal P Montaje en superficie 30V 200 mA (Ta) 200 mW (Ta) SC-59
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10 0.53500 $5.35
100 0.40110 $40.11
500 0.29412 $147.06
1,000 0.22728 $227.28

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2SJ305TE85LFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

2SJ305TE85LF

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Descripción MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 200 mA (Ta) 200 mW (Ta) SC-59

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Documentos y medios
Hojas de datos 2SJ305
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 Ohm a 50 mA, 2.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id -
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 92pF @ 3V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 mW (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-59
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 2SJ305TE85LFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 2SJ305TE85LFTR-ND
  • Cantidad mínima: 0  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Llamar

10:56:43 10/18/2018