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TC58NYG2S0HBAI6 Memoria IC FLASH - NAND (SLC) 4 Gb (512 M x 8) Paralelo 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TC58NYG2S0HBAI6-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TC58NYG2S0HBAI6

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Descripción IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
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Descripción detallada

Memoria IC FLASH - NAND (SLC) 4 Gb (512 M x 8) Paralelo 25ns 67-VFBGA (6.5x8)

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Documentos y medios
Hojas de datos TC58NYG2S0HBAI6
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Categorías
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Serie -
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria No volátil
Formato de la memoria Memoria flash
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Capacidad de memoria 4 Gb (512 M x 8)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 25 ns
Tiempo de acceso 25ns
Interfaz de memoria Paralelo
Voltaje de la fuente 1.7 V ~ 1.95 V
Temperatura de operación -40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 67-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 67-VFBGA (6.5x8)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 338
Otros nombres TC58NYG2S0HBAI6JDH
TC58NYG2S0HBAI6YCL

23:30:14 12/11/2018