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TC58BVG2S0HTAI0 Memoria IC FLASH - NAND (SLC) 4 Gb (512 M x 8) Paralelo 25ns 48-TSOP I
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1 5.34000 $5.34
10 4.87300 $48.73
25 4.78040 $119.51
96 4.74750 $455.76
192 4.25880 $817.69
288 4.24243 $1,221.82
576 3.97760 $2,291.10
1,056 3.80835 $4,021.62

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TC58BVG2S0HTAI0-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TC58BVG2S0HTAI0

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Descripción IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
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Descripción detallada

Memoria IC FLASH - NAND (SLC) 4 Gb (512 M x 8) Paralelo 25ns 48-TSOP I

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Documentos y medios
Hojas de datos TC58BVG2S0HTAI0
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Categorías
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Serie Benand™
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria No volátil
Formato de la memoria Memoria flash
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Capacidad de memoria 4 Gb (512 M x 8)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 25 ns
Tiempo de acceso 25ns
Interfaz de memoria Paralelo
Voltaje de la fuente 2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de operación -40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 48-TFSOP (ancho 0.724", 18.40 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 48-TSOP I
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 96
Otros nombres TC58BVG2S0HTAI0B4H
TC58BVG2S0HTAI0YCJ

17:22:43 12/16/2018