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TC58BVG2S0HBAI4 Memoria IC FLASH - NAND (SLC) 4 Gb (512 M x 8) Paralelo 25ns 63-TFBGA (9x11)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TC58BVG2S0HBAI4-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TC58BVG2S0HBAI4

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Descripción IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
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Descripción detallada

Memoria IC FLASH - NAND (SLC) 4 Gb (512 M x 8) Paralelo 25ns 63-TFBGA (9x11)

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Documentos y medios
Hojas de datos TC58BVG2S0HBAI4
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Categorías
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Serie Benand™
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria No volátil
Formato de la memoria Memoria flash
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Capacidad de memoria 4 Gb (512 M x 8)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 25 ns
Tiempo de acceso 25ns
Interfaz de memoria Paralelo
Voltaje de la fuente 2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de operación -40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 63-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 63-TFBGA (9x11)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 210
Otros nombres ASTC58BVG2S0HBAI4
TC58BVG2S0HBAI4JDH
TC58BVG2S0HBAI4YCL
TC58BVG2S0HBAIJDH

19:35:34 12/10/2018