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CSD25483F4 Canal P Montaje en superficie 20V 1.6 A (Ta) 500 mW (Ta) 3-PICOSTAR
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3,000 0.08000 $240.00
6,000 0.07200 $432.00
15,000 0.06400 $960.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-38917-2-ND
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Cantidad disponible 15,000
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 9,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD25483F4

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Descripción MOSFET P-CH 20V LGA
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 1.6 A (Ta) 500 mW (Ta) 3-PICOSTAR

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD25483F4
Producto destacado Power Management
Diseño/especificación de PCN DSBGA/uSIP 22/Jun/2016
DSBGA/Usip 14/Sep/2016
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014
Embalaje de PCN Carrier Tape 28/Aug/2018
Página del producto del fabricante CSD25483F4 Specifications
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 205 mOhm a 500 mA, 8 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.959nC @ 4.5V
Vgs (máx.) -12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 198pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 3-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • 296-37779-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres 296-38917-2
CSD25483F4-ND

04:49:44 2/19/2019