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CSD25404Q3T Canal P Montaje en superficie 20V 104 A (Tc) 2.8 W (Ta), 96 W (Tc) 8-VSON (3.3x3.3)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-43210-1-ND
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Cantidad disponible 17,898
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD25404Q3T

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Descripción MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
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Plazo estándar del fabricante 35 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 104 A (Tc) 2.8 W (Ta), 96 W (Tc) 8-VSON (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD25404Q3 Datasheet
Producto destacado Power Management
Página del producto del fabricante CSD25404Q3T Specifications
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 104 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.5 mOhm a 10 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.15 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14.1nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2120pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.8 W (Ta), 96 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSON (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 296-43210-1
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00:07:22 11/21/2018