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CSD25402Q3A Canal P Montaje en superficie 20V 76 A (Tc) 2.8W (Ta), 69W (Tc) 8-VSON (3.3x3.3)
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100 0.66170 $66.17
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-38916-1-ND
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Cantidad disponible 339,949
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD25402Q3A

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Descripción MOSFET P-CH 20V 76A 8SON
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 76 A (Tc) 2.8W (Ta), 69W (Tc) 8-VSON (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD25402Q3A
Producto destacado Power Management
Embalaje de PCN ECAT Label Update 02/Oct/2014
Página del producto del fabricante CSD25402Q3A Specifications
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 76 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.9mOhm a 10A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.15V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1790pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSON (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 296-38916-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 339,949 - Inmediata
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07:33:14 4/20/2019