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CSD19535KCS Canal N Orificio pasante 100V 150 A (Ta) 300 W (Tc) TO-220-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.37000 $3.37
10 3.01100 $30.11
50 2.71020 $135.51
100 2.46920 $246.92
500 1.99948 $999.74
1,000 1.68630 $1,686.30
2,500 1.60198 $4,004.96
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-37288-5-ND
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Cantidad disponible 6,214
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD19535KCS

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Descripción MOSFET N-CH 100V TO-220
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Plazo estándar del fabricante 35 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 150 A (Ta) 300 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD19535KCS
Producto destacado Power Management
Ensamble/origen de PCN TO220 Pkg Qualification Add Assembly & Test Site 30/Oct/2015
Página del producto del fabricante CSD19535KCS Specifications
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 150 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.6 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 101nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7930pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Solicitar verificación de inventario / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 296-37288-5
CSD19535KCS-ND

09:10:37 11/15/2018