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CSD19533Q5A Canal N Montaje en superficie 100V 100 A (Ta) 3.2 W (Ta), 96 W (Tc) 8-VSONP (5x6)
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1 1.51000 $1.51
10 1.34100 $13.41
100 1.05990 $105.99
500 0.82194 $410.97
1,000 0.64890 $648.90
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-37479-1-ND
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Cantidad disponible 7,907
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD19533Q5A

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Descripción MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Copiar   MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 100 A (Ta) 3.2 W (Ta), 96 W (Tc) 8-VSONP (5x6)

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD19533Q5A Datasheet
Producto destacado Power Management
Página del producto del fabricante CSD19533Q5A Specifications
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.4 mOhm a 13 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.4 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2670pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.2 W (Ta), 96 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSONP (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Número de pieza base CSD19533
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
Otros nombres 296-37479-1
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07:48:06 2/21/2019