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CSD19532KTTT Canal N Montaje en superficie 100V 200 A (Ta) 250 W (Tc) DDPAK/TO-263-3
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-43211-1-ND
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Cantidad disponible 1,053
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD19532KTTT

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Descripción MOSFET N-CH 100V TO-263-3
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Plazo estándar del fabricante 35 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 200 A (Ta) 250 W (Tc) DDPAK/TO-263-3

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD19532KTT Datasheet
Producto destacado Power Management
Página del producto del fabricante CSD19532KTTT Specifications
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.6 mOhm a 90 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 57nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5060pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DDPAK/TO-263-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-4, D²Pak (3 conductores + lengüeta), TO-263AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 2 (1 año)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 296-43211-1
Precio y compra
 

Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.23000 $3.23
10 2.91500 $29.15

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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