USD
Favorito

CSD19532KTTT Canal N Montaje en superficie 100V 200 A (Ta) 250W (Tc) DDPAK/TO-263-3
Precio y compra
1,996 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.83000 $2.83
10 2.53900 $25.39
25 2.39520 $59.88
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 296-43211-2-ND
  • Cantidad mínima: 50
  • Cantidad disponible: 1,950 - Inmediata
  • Precio unitario: $2.39500
  • Digi-Reel®  : 296-43211-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,996 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : 296-CSD19532KTTTR-ND
  • Cantidad mínima: 500  Agotado 
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $1.43550
  • Cinta cortada (CT)  : 296-CSD19532KTTCT-ND
  • Cantidad mínima: 1  Agotado 
  • Cantidad disponible: 55 - Inmediata
  • Precio unitario: $2.57000

CSD19532KTTT

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 296-43211-1-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante CSD19532KTTT
Copiar  
Descripción MOSFET N-CH 100V TO-263-3
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 200 A (Ta) 250W (Tc) DDPAK/TO-263-3

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos CSD19532KTT Datasheet
Producto destacado Power Management
Página del producto del fabricante CSD19532KTTT Specifications
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.6mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 57nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5060pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DDPAK/TO-263-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-4, D²Pak (3 conductores + lengüeta), TO-263AA
Número de pieza base CSD19532
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 2 (1 año)
También le puede interesar

MCP6002T-I/SN

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

Microchip Technology

$0.33000 Detalles

CSD19532KTT

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3

Texas Instruments

$2.57000 Detalles

CSD19535KTT

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Texas Instruments

$3.31000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 296-43211-1