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CSD19531Q5AT Canal N Montaje en superficie 100V 100 A (Ta) 3.3 W (Ta), 125 W (Tc) 8-VSONP (5x6)
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1 2.05000 $2.05
10 1.85300 $18.53
100 1.48880 $148.88
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-37749-1-ND
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Cantidad disponible 43
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD19531Q5AT

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Descripción MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Copiar   MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Plazo estándar del fabricante 35 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 100 A (Ta) 3.3 W (Ta), 125 W (Tc) 8-VSONP (5x6)

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD19531Q5A Datasheet
Wide Vin DC/DC Power Solutions Guide
Producto destacado Power Management
Página del producto del fabricante CSD19531Q5AT Specifications
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.4 mOhm a 16 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3870pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.3 W (Ta), 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSONP (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Número de pieza base CSD19531
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 296-37749-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 2,500 - Inmediata
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  • Cinta cortada (CT) ? : 296-41232-1-ND
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