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CSD19531KCS Canal N Orificio pasante 100V 100 A (Ta) 214 W (Tc) TO-220-3
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Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.15000 $2.15
10 1.94300 $19.43
50 1.73520 $86.76
100 1.56170 $156.17
500 1.21468 $607.34
1,000 1.00645 $1,006.45
2,500 0.93704 $2,342.59
5,000 0.90233 $4,511.65
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-37480-5-ND
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Cantidad disponible 2,196
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD19531KCS

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Descripción MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 100 A (Ta) 214 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD19531KCS
Producto destacado Power Management
Ensamble/origen de PCN Site Chg 04/Dec/2015
Site Chg 25/Jan/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.7 mOhm a 60 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3870pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 214 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • 296-37286-5-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 296-37480-5
CSD19531KCS-ND

13:50:16 11/14/2018