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CSD19505KCS Canal N Orificio pasante 80V 150 A (Ta) 300 W (Tc) TO-220-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.07000 $3.07
10 2.73800 $27.38
50 2.46380 $123.19
100 2.24480 $224.48
500 1.81770 $908.85
1,000 1.53300 $1,533.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-37287-5-ND
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Cantidad disponible 8
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD19505KCS

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Descripción MOSFET N-CH 80V 150A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 80V 150 A (Ta) 300 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD19505KCS
Producto destacado Power Management
Ensamble/origen de PCN TO220 Pkg Qualification Add Assembly & Test Site 30/Oct/2015
Página del producto del fabricante CSD19505KCS Specifications
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 150 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.8 mOhm a 100 A, 6 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 76nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7820pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 296-37287-5
CSD19505KCS-ND

02:30:20 1/18/2019