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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.52000 $2.52
10 2.26000 $22.60
25 2.13240 $53.31
100 1.66340 $166.34
250 1.62072 $405.18
500 1.40746 $703.73
1,000 1.19420 $1,194.20

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  • Cinta y rollo (TR)  : 296-37194-2-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
    10,000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: $1.17714
  • Digi-Reel®  : 296-37194-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 12,062 - Inmediata
    10,001 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : 296-44043-2-ND
  • Cantidad mínima: 250
  • Cantidad disponible: 2,500 - Inmediata
    6,250 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: $1.78792
  • Cinta cortada (CT)  : 296-44043-1-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,631 - Inmediata
    6,274 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: $2.78000
  • Digi-Reel®  : 296-44043-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,631 - Inmediata
    6,274 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

CSD19502Q5B

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 296-37194-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CSD19502Q5B
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Descripción MOSFET N-CH 80V 100A 8SON
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 100 A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 8-VSON-CLIP (5x6)

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD19502Q5B
Wide Vin DC/DC Power Solutions Guide
Producto destacado Power Management
Diseño/especificación de PCN Qualification Revision A 01/Jul/2014
Ensamble/origen de PCN Qualification Wire Bond 27/May/2014
Página del producto del fabricante CSD19502Q5B Specifications
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.1mOhm a 19A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 62nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4870pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSON-CLIP (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Número de pieza base CSD19502
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 296-37194-1