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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-37286-5-ND
Cantidad disponible 215
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

CSD19501KCS

Descripción MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Solicitar verificación de inventario / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 23 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 80V 100 A (Ta) 217 W (Tc) TO-220-3

Documentos y medios
Hojas de datos CSD19501KCS
Producto destacado Power Management
Ensamble/origen de PCN Site Chg 04/Dec/2015
Site Chg 25/Jan/2016
Página del producto del fabricante CSD19501KCS Specifications
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.6 mOhm a 60 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3980pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 217 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 296-37286-5
CSD19501KCS-ND

06:21:53 6/24/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.26000 $2.26
10 2.04100 $20.41
100 1.64050 $164.05
500 1.27592 $637.96
1,000 1.05720 $1,057.20

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