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CSD18543Q3AT Canal N Montaje en superficie 60V 12 A (Ta), 60 A (Tc) 66 W (Tc) 8-VSON (3.3x3.3)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-45302-1-ND
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Cantidad disponible 44,767
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 10,001
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD18543Q3AT

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Descripción 60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 12 A (Ta), 60 A (Tc) 66 W (Tc) 8-VSON (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD18543Q3A
Producto destacado Power Management
Página del producto del fabricante CSD18543Q3AT Specifications
Modelos EDA/CAD CSD18543Q3AT by SnapEDA
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Ta), 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15.6 mOhm a 12A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.7V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1150pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 66 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSON (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 296-45302-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 2,500
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  • Cinta cortada (CT) ? : 296-47321-1-ND
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04:56:43 3/25/2019