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CSD18536KCS Canal N Orificio pasante 60V 200 A (Ta) 375W (Tc) TO-220-3
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.66000 $4.66
10 4.18900 $41.89
25 3.96000 $99.00
100 3.16800 $316.80
250 2.99200 $748.00
500 2.81600 $1,408.00
1,000 2.41120 $2,411.20
2,500 2.37600 $5,940.00
5,000 2.16480 $10,824.00
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CSD18536KCS

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 296-47185-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CSD18536KCS
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Descripción MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 200 A (Ta) 375W (Tc) TO-220-3

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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.6mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 108nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11430pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Número de pieza base CSD1853
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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