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CSD18535KTTT Canal N Montaje en superficie 60V 200 A (Ta), 279 A (Tc) 300 W (Tc) DDPAK/TO-263-3
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-44121-1-ND
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Cantidad disponible 5,734
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 600
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD18535KTTT

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Descripción MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 200 A (Ta), 279 A (Tc) 300 W (Tc) DDPAK/TO-263-3

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD18535KTT Datasheet
Producto destacado Power Management
Página del producto del fabricante CSD18535KTTT Specifications
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 A (Ta), 279 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 81nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6620pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DDPAK/TO-263-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-4, D²Pak (3 conductores + lengüeta), TO-263AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 2 (1 año)
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Otros nombres 296-44121-1
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00:44:15 1/23/2019