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CSD18535KCS Canal N Orificio pasante 60V 200 A (Ta) 300 W (Tc) TO-220-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.23000 $3.23
10 2.88500 $28.85
50 2.59620 $129.81
100 2.36550 $236.55
500 1.91548 $957.74
1,000 1.61546 $1,615.46
2,500 1.53469 $3,836.72
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-47696-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD18535KCS

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Descripción MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
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Plazo estándar del fabricante 35 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 200 A (Ta) 300 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD18535KCS
Producto destacado Power Management
Página del producto del fabricante CSD18535KCS Specifications
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 81nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6620pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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09:52:38 12/14/2018