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CSD18532Q5B Canal N Montaje en superficie 60V 100 A (Ta) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 8-VSONP (5x6)
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.37000 $2.37
10 2.13300 $21.33
25 2.01240 $50.31
100 1.56980 $156.98
250 1.52952 $382.38
500 1.32826 $664.13
1,000 1.12700 $1,127.00

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 296-46414-2-ND
  • Cantidad mínima: 250
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.68340
  • Cinta cortada (CT)  : 296-46414-1-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,243 - Inmediata
  • Precio unitario: $2.61000
  • Digi-Reel®  : 296-46414-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,243 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : 296-35628-2-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $1.11090
  • Digi-Reel®  : 296-35628-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

CSD18532Q5B

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 296-35628-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CSD18532Q5B
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Descripción MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 100 A (Ta) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 8-VSONP (5x6)

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD18532Q5B
Producto destacado Power Management
Diseño/especificación de PCN Qualification Revision A 01/Jul/2014
Ensamble/origen de PCN VSON Additional Assembly Site 28/Oct/2013
Página del producto del fabricante CSD18532Q5B Specifications
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.2mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 58nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5070pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSONP (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Número de pieza base CSD1853
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 296-35628-1