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CSD18509Q5BT Canal N Montaje en superficie 40V 100 A (Ta) 3.1 W (Ta), 195 W (Tc) 8-VSON-CLIP (5x6)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-37962-1-ND
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Cantidad disponible 14,629
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD18509Q5BT

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Descripción MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
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Plazo estándar del fabricante 35 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 100 A (Ta) 3.1 W (Ta), 195 W (Tc) 8-VSON-CLIP (5x6)

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD18509Q5B
Producto destacado Power Management
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014
Página del producto del fabricante CSD18509Q5BT Specifications
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 mOhm a 32 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 195nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13900pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 195 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSON-CLIP (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 296-37962-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Precio unitario: $1.67200
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  • Cantidad disponible: 14,629 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 0
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