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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.02000 $1.02
10 0.91500 $9.15
25 0.86800 $21.70
100 0.65100 $65.10
250 0.64480 $161.20
500 0.55180 $275.90
1,000 0.44950 $449.50
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 296-30572-2-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 39,036 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.44330
  • Digi-Reel®  : 296-30572-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 39,036 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : 296-46080-2-ND
  • Cantidad mínima: 250
  • Cantidad disponible: 2,500 - Inmediata
    10,000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: $0.69888
  • Cinta cortada (CT)  : 296-46080-1-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,803 - Inmediata
    10,001 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: $1.11000
  • Digi-Reel®  : 296-46080-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,803 - Inmediata
    10,001 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

CSD18504Q5A

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 296-30572-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CSD18504Q5A
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Descripción MOSFET N-CH 40V 8SON
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 15 A (Ta), 50 A (Tc) 3.1W (Ta), 77W (Tc) 8-VSONP (5x6)

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD18504Q5A Datasheet
Producto destacado Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer
Power Management
Página del producto del fabricante CSD18504Q5A Specifications
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Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 15 A (Ta), 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.6mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1656pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSONP (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Número de pieza base CSD1850
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 296-30572-1