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CSD17559Q5 Canal N Montaje en superficie 30V 40 A (Ta), 100 A (Tc) 3.2W (Ta), 96W (Tc) 8-VSON-CLIP (5x6)
Precio y compra
7,563 En Stock
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Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.52000 $2.52
10 2.26600 $22.66
25 2.13760 $53.44
100 1.66730 $166.73
250 1.62452 $406.13
500 1.41076 $705.38
1,000 1.19700 $1,197.00

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 296-35582-2-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 7,500 - Inmediata
    2,500 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: $1.17990
  • Digi-Reel®  : 296-35582-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,563 - Inmediata
    2,818 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : CSD17559Q5T-ND
  • Cantidad mínima: 500  Agotado 
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $1.62360

CSD17559Q5

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 296-35582-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CSD17559Q5
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Descripción MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 40 A (Ta), 100 A (Tc) 3.2W (Ta), 96W (Tc) 8-VSON-CLIP (5x6)

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD17559Q5T Datasheet
Producto destacado Power Management
Diseño/especificación de PCN Qualification Revision A 01/Jul/2014
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015
Página del producto del fabricante CSD17559Q5 Specifications
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Ta), 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.15mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.7V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 51nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9200pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSON-CLIP (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Número de pieza base CSD175
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 296-35582-1