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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.08000 $1.08
10 0.96900 $9.69
25 0.92000 $23.00
100 0.69000 $69.00
250 0.68344 $170.86
500 0.58486 $292.43
1,000 0.47643 $476.43

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  • Cinta y rollo (TR)  : 296-30138-2-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 2,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.45617
  • Digi-Reel®  : 296-30138-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,591 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : 296-47650-2-ND
  • Cantidad mínima: 250
  • Cantidad disponible: 250 - Inmediata
    1,250 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: $0.76128
  • Cinta cortada (CT)  : 296-47650-1-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 470 - Inmediata
    1,250 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: $1.24000
  • Digi-Reel®  : 296-47650-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 470 - Inmediata
    1,250 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

CSD16327Q3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 296-30138-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CSD16327Q3
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Descripción MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 25V 60 A (Tc) 3W (Ta) 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD16327Q3 Datasheet
Power Management Guide
Producto destacado Power Management
Diseño/especificación de PCN Qualification Revision A 01/Jul/2014
Ensamble/origen de PCN Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014
Página del producto del fabricante CSD16327Q3 Specifications
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 3V, 8V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4mOhm a 24A, 8V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) +10V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 12.5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Número de pieza base CSD16327
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 296-30138-1