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CSD13381F4 Canal N Montaje en superficie 12V 2.1 A (Ta) 500 mW (Ta) 3-PICOSTAR
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3,000 0.07200 $216.00
6,000 0.06480 $388.80
15,000 0.05760 $864.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-38912-2-ND
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Cantidad disponible 12,000
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD13381F4

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Descripción MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 12V 2.1 A (Ta) 500 mW (Ta) 3-PICOSTAR

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD13381F4
Producto destacado Power Management
Diseño/especificación de PCN DSBGA/uSIP 22/Jun/2016
DSBGA/Usip 14/Sep/2016
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014
Embalaje de PCN Carrier Tape 28/Aug/2018
Página del producto del fabricante CSD13381F4 Specifications
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 500 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) 8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 200pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 3-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres 296-38912-2
CSD13381F4-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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