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CSD13202Q2 Canal N Montaje en superficie 12V 22 A (Ta) 2.7 W (Ta) 6-WSON (2x2)
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1 0.65000 $0.65
10 0.54800 $5.48
100 0.41130 $41.13
500 0.30160 $150.80
1,000 0.23306 $233.06

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-38911-1-ND
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Cantidad disponible 95,403
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD13202Q2

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Descripción MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
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Plazo estándar del fabricante 35 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 12V 22 A (Ta) 2.7 W (Ta) 6-WSON (2x2)

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD13202Q2
Producto destacado Power Management
Diseño/especificación de PCN Marking Standardization 29/Jan/2015
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 23/Oct/2017
Página del producto del fabricante CSD13202Q2 Specifications
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.3 mOhm a 5 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 997pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.7 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-WSON (2x2)
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-VDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 296-38911-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 95,403 - Inmediata
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08:23:53 11/19/2018