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CSD13201W10 Canal N Montaje en superficie 12V 1.6 A (Ta) 1.2 W (Ta) 4-DSBGA (1x1)
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10 0.44100 $4.41
100 0.30280 $30.28
500 0.20764 $103.82
1,000 0.15574 $155.74

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-41412-1-ND
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Cantidad disponible 185,876
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD13201W10

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Descripción MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 12V 1.6 A (Ta) 1.2 W (Ta) 4-DSBGA (1x1)

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD13201W10
Producto destacado Power Management
Diseño/especificación de PCN DSBGA/uSIP 22/Jun/2016
DSBGA/Usip 14/Sep/2016
Embalaje de PCN Carrier Tape 28/Aug/2018
Página del producto del fabricante CSD13201W10 Specifications
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 34 mOhm a 1 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 462pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.2 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DSBGA (1x1)
Paquete / Caja (carcasa) 4-UFBGA, DSBGA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 296-41412-1
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15:13:29 1/18/2019