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TSM9N90ECZ C0G Canal N Orificio pasante 900V 9 A (Tc) 89 W (Tc) TO-220
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Cantidad
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1 3.29000 $3.29
10 2.96900 $29.69
100 2.38570 $238.57
500 1.85550 $927.75
1,000 1.53742 $1,537.42

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TSM9N90ECZC0G-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TSM9N90ECZ C0G

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 900V 9 A (Tc) 89 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM9N90E
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Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 900V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.4 Ohm a 4.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2470pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 89 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres TSM9N90ECZ C0G-ND
TSM9N90ECZC0G

19:40:00 10/18/2018