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TSM900N06CW RPG Canal N Montaje en superficie 60V 11 A (Tc) 25 W (Tc) SOT-223
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100 0.30000 $30.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TSM900N06CWRPGCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TSM900N06CW RPG

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
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Plazo estándar del fabricante 30 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 11 A (Tc) 25 W (Tc) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM900N06
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Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 500pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 25 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TSM900N06CW RPGCT
TSM900N06CW RPGCT-ND
TSM900N06CWRPGCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TSM900N06CWRPGTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
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19:07:31 2/19/2019