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TSM85N10CZ C0G Canal N Orificio pasante 100V 81 A (Tc) 210 W (Tc) TO-220
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.21000 $2.21
10 1.99900 $19.99
100 1.60630 $160.63
500 1.24932 $624.66
1,000 1.03516 $1,035.16

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TSM85N10CZC0G-ND
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Cantidad disponible 928
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TSM85N10CZ C0G

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220
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Plazo estándar del fabricante 28 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 81 A (Tc) 210 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM85N10
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Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 81 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10 mOhm a 40 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 154nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3900pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 210 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres TSM85N10CZ C0G-ND
TSM85N10CZC0G

05:28:06 10/17/2018