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TSM60NB190CZ C0G Canal N Orificio pasante 600V 18 A (Tc) 33.8 W (Tc) TO-220
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Cantidad
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1 3.06000 $3.06
10 2.76400 $27.64
100 2.22130 $222.13
500 1.72768 $863.84
1,000 1.43151 $1,431.51

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TSM60NB190CZC0G-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TSM60NB190CZ C0G

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
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Plazo estándar del fabricante 36 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 18 A (Tc) 33.8 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM60NB190CI, TSM60NB190CZ
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1273pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 33.8 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres TSM60NB190CZ C0G-ND
TSM60NB190CZC0G

00:58:22 12/11/2018