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1 2.65000 $2.65
10 2.39400 $23.94
100 1.92380 $192.38
500 1.49630 $748.15
1,000 1.23979 $1,239.79

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TSM60N380CIC0G-ND
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Cantidad disponible 983
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TSM60N380CI C0G

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Descripción MOSFET N-CH 600V 11A ITO220
Copiar   MOSFET N-CH 600V 11A ITO220
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 11 A (Tc) 125 W (Tc) ITO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM60N380
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 380 mOhm a 5.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1040pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor ITO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres TSM60N380CI C0G-ND
TSM60N380CIC0G

18:52:22 10/21/2018