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TSM3N80CZ C0G Canal N Orificio pasante 800V 3 A (Tc) 94 W (Tc) TO-220
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.18000 $2.18
10 1.96800 $19.68
100 1.58120 $158.12
500 1.22980 $614.90
1,000 1.01898 $1,018.98

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TSM3N80CZC0G-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TSM3N80CZ C0G

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 3 A (Tc) 94 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM3N80
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Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.2 Ohm a 1.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 696pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 94 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,000
Otros nombres TSM3N80CZ C0G-ND
TSM3N80CZC0G

10:14:17 10/20/2018