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TSM2N7000KCT B0G Canal N Orificio pasante 60V 300 mA (Ta) 400 mW (Ta) TO-92
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1 0.50000 $0.50
10 0.34900 $3.49
100 0.22950 $22.95
500 0.13560 $67.80
1,000 0.10430 $104.30

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TSM2N7000KCTB0G-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TSM2N7000KCT B0G

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
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Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 300 mA (Ta) 400 mW (Ta) TO-92

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM2N7000K
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Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 300 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5 Ohm a 100 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7.32pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 400 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario $0.55000
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres TSM2N7000KCT B0G-ND
TSM2N7000KCTB0G
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y caja ? : TSM2N7000KCTA3GTB-ND
  • Cantidad mínima: 10,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.06846
  • Cinta cortada (CT) ? : TSM2N7000KCTA3GCT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,569 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.55000

05:12:14 11/22/2018