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TSM210N02CX RFG Canal N Montaje en superficie 20V 6.7 A (Tc) 1.56 W (Tc) SOT-23
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100 0.21020 $21.02
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TSM210N02CXRFGCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TSM210N02CX RFG

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
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Plazo estándar del fabricante 30 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 6.7 A (Tc) 1.56 W (Tc) SOT-23

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM210N02CX
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Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 25 mOhm a 4 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 800 mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 600pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.56 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TSM210N02CX RFGCT
TSM210N02CX RFGCT-ND
TSM210N02CXRFGCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 8,577 - Inmediata
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23:05:35 2/18/2019