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TSM200N03DPQ33 RGG Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 20 A (Tc) 20 W Montaje en superficie 8-PDFN (3x3)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TSM200N03DPQ33RGGCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TSM200N03DPQ33 RGG

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Descripción MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 20 A (Tc) 20 W Montaje en superficie 8-PDFN (3x3)

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM200N03D
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Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 345 pF a 25 V
Potencia máxima 20 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PDFN (3x3)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TSM200N03DPQ33 RGGCT
TSM200N03DPQ33 RGGCT-ND
TSM200N03DPQ33RGGCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TSM200N03DPQ33RGGTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 0
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,339 - Inmediata
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06:28:10 10/15/2018