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TSM190N08CZ C0G Canal N Orificio pasante 75V 190 A (Tc) 250 W (Tc) TO-220
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Cantidad
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1 3.41000 $3.41
10 3.04700 $30.47
100 2.49850 $249.85
500 2.02320 $1,011.60
1,000 1.70632 $1,706.32

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TSM190N08CZC0G-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TSM190N08CZ C0G

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220
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Plazo estándar del fabricante 28 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 75V 190 A (Tc) 250 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM190N08
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Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 190 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.2 mOhm a 90 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 160nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8600pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres TSM190N08CZ C0G-ND
TSM190N08CZC0G

16:33:58 10/21/2018