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TSM120N06LCR RLG Canal N Montaje en superficie 60V 54 A (Tc) 69 W (Tc) 8-PDFN (5x6)
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10 0.67600 $6.76
100 0.52130 $52.13
500 0.38612 $193.06
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TSM120N06LCRRLGCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TSM120N06LCR RLG

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Descripción MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
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Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 54 A (Tc) 69 W (Tc) 8-PDFN (5x6)

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM120N06LCR
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Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 54 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 12 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2116pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 69 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PDFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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Otros nombres TSM120N06LCR RLGCT
TSM120N06LCR RLGCT-ND
TSM120N06LCRRLGCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TSM120N06LCRRLGTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.27179
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  • Cantidad mínima: 1
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03:09:23 12/14/2018