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TSM10N80CZ C0G Canal N Orificio pasante 800V 9.5 A (Tc) 48 W (Tc) TO-220
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Cantidad
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1 3.70000 $3.70
10 3.30000 $33.00
100 2.70580 $270.58
500 2.19102 $1,095.51
1,000 1.84785 $1,847.85

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TSM10N80CZC0G-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TSM10N80CZ C0G

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Descripción MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 9.5 A (Tc) 48 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM10N80
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Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.05 Ohm a 4.75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 53nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2336pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 48 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres TSM10N80CZ C0G-ND
TSM10N80CZC0G

22:40:48 10/23/2018