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TSM060N03PQ33 RGG Canal N Montaje en superficie 30V 62 A (Tc) 40 W (Tc) 8-PDFN (3x3)
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10 0.59400 $5.94
100 0.44560 $44.56
500 0.32678 $163.39
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TSM060N03PQ33RGGCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TSM060N03PQ33 RGG

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Descripción MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 62 A (Tc) 40 W (Tc) 8-PDFN (3x3)

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM060N03PQ33
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Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 62 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6 mOhm a 15 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25.4nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1342pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 40 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PDFN (3x3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TSM060N03PQ33 RGGCT
TSM060N03PQ33 RGGCT-ND
TSM060N03PQ33RGGCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TSM060N03PQ33RGGTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.20910
  • Digi-Reel® ? : TSM060N03PQ33RGGDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,717 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

19:45:20 12/18/2018