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STWA50N65DM2AG Canal N Orificio pasante 650V 38 A (Tc) 300 W (Tc) TO-247
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STWA50N65DM2AG

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Descripción POWER TRANSISTORS
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Plazo estándar del fabricante 42 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 38 A (Tc) 300 W (Tc) TO-247

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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 87 mOhm a 19 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 69nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3200pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Recursos adicionales
Envase estándar ? 600

11:13:45 10/15/2018