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Índice de productos > Productos semiconductores discretos > Transistores - FET, MOSFET - Simple > STMicroelectronics STW88N65M5
STW88N65M5 STMicroelectronics | 497-12116-ND DigiKey Electronics

STW88N65M5 Canal N Orificio pasante 650V 84 A (Tc) 450 W (Tc) TO-247-3
Precio y compra
 

Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 24.80000 $24.80
30 21.13767 $634.13
120 19.57000 $2,348.40
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-12116-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STW88N65M5

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Descripción MOSFET N-CH 650V 84A TO-247
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Plazo estándar del fabricante 37 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 84 A (Tc) 450 W (Tc) TO-247-3

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Documentos y medios
Hojas de datos STW(A)88N65M5
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Categorías Productos semiconductores discretos
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 84 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 29 mOhm a 42 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 204nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8825pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 450 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Para usar con
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres 497-12116

23:36:06 12/11/2018