STW88N65M5 STMicroelectronics | Productos semiconductores discretos

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STW88N65M5 Canal N Orificio pasante 650V 84 A (Tc) 450 W (Tc) TO-247-3

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	497-12116-ND	Copiar
Cantidad disponible	0 Esta característica no está disponible temporalmente. Estamos trabajando arduamente para solucionarlo. Le agradecemos su paciencia.
Fabricante	STMicroelectronics	Copiar
Número de pieza del fabricante	STW88N65M5	Copiar
Descripción	MOSFET N-CH 650V 84A TO-247	Copiar
Plazo estándar del fabricante	37 semanas
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650V 84 A (Tc) 450 W (Tc) TO-247-3	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	STW(A)88N65M5
Otros documentos relacionados	STW88N65M5 View All Specifications
Módulos de capacitación sobre el producto	STMicroelectronics ST MOSFETs
Producto destacado	MDmesh™ V Power MOSFETs
Modelos de simulación	STW88N65M5 Spice Model

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ V
Empaquetado	Tubo
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	84 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	29 mOhm a 42 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id	5 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	204nC @ 10V
Vgs (máx.)	±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8825pF @ 100V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	450 W (Tc)
Temperatura de operación	150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3